igbt模塊結(jié)構(gòu)原理

日期：2025-10-09 15:25

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摘要： igbt模塊結(jié)構(gòu)原理動態(tài)特性 igbt模塊動態(tài)特性又稱開關(guān)特性，igbt的開關(guān)特性分為兩大部分：一是開關(guān)速度，主要指標(biāo)是開關(guān)過程中各部分時間；另一個是開關(guān)過程中的損耗。 igbt模塊的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：： Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh 式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——...

igbt模塊結(jié)構(gòu)原理
動態(tài)特性

igbt模塊動態(tài)特性又稱開關(guān)特性，igbt的開關(guān)特性分為兩大部分：一是開關(guān)速度，主要指標(biāo)是開關(guān)過程中各部分時間；另一個是開關(guān)過程中的損耗。

igbt模塊的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：

Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh

式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴(kuò)展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。

通態(tài)電流Ids 可用下式表示：

Ids=(1+Bpnp)Imos

式中Imos ——流過MOSFET 的電流。

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